喜讯 | 热烈祝贺刘纪美教授荣获半导体领域崇高荣誉“Heinrich Welker Award”

镭昱发布・2026年06月17日

近日,国际半导体领域传来喜讯。美国国家工程院院士、香港工程科学院院士、香港科技大学电子及计算机工程系荣休教授兼新兴跨学科领域学部研究教授刘纪美教授,荣获国际半导体领域享负盛名的2026年“Heinrich Welker Award”。更为难能可贵的是,她成为首位完全凭借在香港取得的科研突破而荣获此殊荣的科学家。


 
“Heinrich Welker Award”创立于1976年,旨在表彰在III-V族化合物半导体研究与应用方面取得突破性成就的杰出科学家。该奖项在全球学术界享有极高声誉,历届获奖者中包括多位诺贝尔奖得主以及众多世界顶尖科学院、工程院院士,被誉为化合物半导体领域的最高荣誉之一。
 
刘纪美教授获颁这一殊荣,充分彰显了其在化合物半导体材料与器件领域的卓越贡献和国际影响力,尤其是在硅基III-V族异质外延技术及Micro-LED显示技术等前沿方向取得的开创性成果。
 
刘纪美教授表示:“能够获得此项殊荣,我感到非常荣幸。我不过是沿着一代代科学前人开创的道路前行;科研生涯伊始,他们就一直是我景仰的榜样。自上世纪六十年代以来,化合物半导体常被视为硅的‘弱势同门’,甚至有人戏称它注定永远属于未来。然而,化合物半导体器件已成为光纤和Wi-Fi等连接世界的关键组件。我选择坚信这个未来,与研究团队在不断探索中收获成果,过程中享受到科研带来的无穷乐趣。尤其让我感到欣慰的是,我们在科大取得的研究成果,已获得国际学界顶尖领袖的充分肯定。”
 
数十年来,刘纪美教授始终致力于推动III-V族化合物半导体从基础研究走向产业应用。她带领香港科技大学研究团队率先实现了在业界标准硅衬底上利用金属有机化学气相沉积技术进行III-V族半导体器件单片集成,并于2008年首次成功展示直接在硅上制备的高迁移率III-V族晶体管,为未来高性能光电子与集成电路技术发展奠定了重要基础。
 
近年来,刘纪美教授团队进一步研发出横向高宽比限制(Lateral Aspect Ratio Trapping,LART)技术,实现了与硅波导的高效耦合,为未来光通信技术带来重要突破。此外,刘教授发明并拥有专利的硅基单片全彩Micro-LED技术已成功实现商业化,为下一代AR显示系统的发展开辟了全新路径。该技术不仅推动了Micro-LED微显示产业的发展,也为轻量化、高性能AR智能眼镜的实现提供了关键技术支撑。相关成果正受到全球科技巨头和创新公司的广泛关注与积极采用。
 
值得一提的是,刘纪美教授也是镭昱核心创始团队的重要成员之一。镭昱在单片全彩Micro-LED微显示技术路线上的持续创新与突破,正是建立在刘教授长期深耕的科研成果与技术积累之上。刘教授始终为公司的技术发展与战略布局提供重要指导,是镭昱技术创新体系的重要奠基者之一。
 
此次荣获“Heinrich Welker Award”,不仅是对刘纪美教授个人卓越学术成就的高度认可,也再次彰显了化合物半导体与Micro-LED技术在全球科技创新中的重要价值。
 
镭昱谨向刘纪美教授表示热烈祝贺!未来,镭昱将继续秉承创新驱动的发展理念,推动Micro-LED微显示技术持续突破,为下一代AR眼镜及智能终端产业的发展贡献力量。
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